Numărul de produs al producătorului:
IRF7389TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7389TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
Inventar:
4590 Piese Noi Originale În Stoc
12823056
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7389TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Putere - Max
2.5W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
IRF738
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF7389PBFDKR
*IRF7389TRPBF
IRF7389TRPBF-DG
SP001554234
IRF7389PBFTR
IRF7389TRPBFTR-DG
IRF7389PBFCT
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MCB40P1200LB-TUB
SIC 2N-CH 1200V 58A SMPD
HCT802
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7907PBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO