Numărul de produs al producătorului:
IRF7353D2TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7353D2TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12805000
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7353D2TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
FETKY™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF7353D2TRPBFTR-DG
IRF7353D2PBFDKR
SP001566318
IRF7353D2TRPBF-DG
IRF7353D2PBFCT
IRF7353D2PBFTR
*IRF7353D2TRPBF
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR1018ETRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRFPS3810
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
IRFS33N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK