Numărul de produs al producătorului:
IRF7325
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7325-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 7.8A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12807012
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7325 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2020pF @ 10V
Putere - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
IRF732
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF7325
Q1153815D
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL6372PBF
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
IRF7905TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SO
IRF7105QTRPBF
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC