Numărul de produs al producătorului:
IRF7324D1TR
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7324D1TR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12805655
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7324D1TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
FETKY™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 15 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB80N06S4L07ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
IPW90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3
IRF6678
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET