Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRF7317TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7317TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
8709 Piese Noi Originale În Stoc
12859965
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7317TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Last Time Buy
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.6A, 5.3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 15V
Putere - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
IRF731
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRF7317TRPBF-DG
Fișe tehnice
IRF7317TRPBF
Informații suplimentare
Alte nume
IRF7317PBFTR
SP001554184
IRF7317PBFCT
IRF7317PBFDKR
*IRF7317TRPBF
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
DMC2020USD-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMC2020USD-13-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS9934C
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
256
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS9934C-DG
PREȚ UNIC
0.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
UPA1857GR-9JG-E1-A
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8TSSOP
NTMD6P02R2SG
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMFD4C85NT3G
MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
NTND31015NZTAG
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A 6XLLGA