Numărul de produs al producătorului:
IRF7207
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF7207-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 5.4A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12803933
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF7207 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
780 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF7207
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6601
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
IPSA70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
IRF1010EZ
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
