Numărul de produs al producătorului:
IRF6785MTRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6785MTRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
9600 Piese Noi Originale În Stoc
12822929
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6785MTRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MZ
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MZ
Numărul de bază al produsului
IRF6785
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6785MTRPBFTR
IRF6785MTRPBF-DG
IRF6785MTRPBFCT
2156-IRF6785MTRPBF
SP001562032
IRF6785MTRPBFDKR
IFEINFIRF6785MTRPBF
Pachet standard
4,800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF8721GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
BUK7524-55,127
MOSFET N-CH 55V 45A TO220AB
IPS09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
