Numărul de produs al producătorului:
IRF6725MTR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6725MTR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12807102
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6725MTR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
28A (Ta), 170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MX
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MX
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6725MTR1PBFCT
IRF6725MTR1PBFTR
IRF6725MTR1PBFDKR
SP001530850
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN2R0-30YL,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
20769
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN2R0-30YL,115-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR9343TRPBF
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
IRLR8503TRL
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRFR3505PBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
