Numărul de produs al producătorului:
IRF6668TR1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6668TR1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
12804498
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6668TR1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MZ
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MZ
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6668TRPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
59676
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6668TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF3315STRLPBF
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
IRFH8334TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
IRF2807STRRPBF
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
