Numărul de produs al producătorului:
IRF6648TR1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6648TR1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventar:
12806369
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6648TR1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2120 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MN
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6648TR
IRF6648TR1-DG
SP001571492
IRF6648TR1INACTIVE
IRF6648
IRF6648CT
IRF6648-DG
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
2 (1 Year)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6648TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
18438
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6648TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.91
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF1704
MOSFET N-CH 40V 170A TO220AB
SIPC69N50C3X1SA2
MOSFET COOL MOS SAWED WAFER
IRFR3910TRR
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
