Numărul de produs al producătorului:
IRF6644TR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6644TR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventar:
12807385
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6644TR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10.3A (Ta), 60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2210 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MN
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6644TR1PBFDKR
IRF6644TR1PBFTR
IRF6644TR1PBFCT
SP001561794
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6644TRPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
602356
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6644TRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.27
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFB3077GPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IRLU3636-701TRP
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK
IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
