Numărul de produs al producătorului:
IRF6641TR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6641TR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
12823387
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6641TR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MZ
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MZ
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6641TR1PBFDKR
IRF6641TR1PBFTR
SP001563484
IRF6641TR1PBFCT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6641TRPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
720
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6641TRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.85
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7241
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
IXFH50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD
IRF540ZS
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
