Numărul de produs al producătorului:
IRF6636TR1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6636TR1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventar:
12802651
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6636TR1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Ta), 81A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2420 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ ST
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric ST
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6636TR1CT
IRF6636TR1TR
SP001532396
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
EPC2034
GANFET N-CH 200V 48A DIE
IPB180N04S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPP21N03L G
MOSFET N-CH TO-220
