Numărul de produs al producătorului:
IRF6620TR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6620TR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12803591
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6620TR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Ta), 150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4130 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MX
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MX
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6620TR1PBFDKR
IRF6620TR1PBFTR
SP001525516
IRF6620TR1PBFCT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6620TRPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
980
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6620TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.64
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF2807ZS
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
IRF540ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPB100N04S204ATMA4
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
