Numărul de produs al producătorului:
IRF6613TR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6613TR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
12809117
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6613TR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MT
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MT
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6613TR1PBFTR
SP001528336
IRF6613TR1PBFCT
IRF6613TR1PBFDKR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6613TRPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
22143
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6613TRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.07
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SPD07N60S5T
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IPP80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
