Numărul de produs al producătorului:
IRF6613TR1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6613TR1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
12805174
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6613TR1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MT
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MT
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001528856
IRF6613
IRF6613TR1TR
IRF6613TR1INACTIVE
IRF6613-DG
*IRF6613TR1
IRF6613TR1-DG
IRF6613TR1CT
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6613TRPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
22143
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6613TRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.07
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF3805L-7PPBF
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
IRFB23N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
