Numărul de produs al producătorului:
IRF6609
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6609-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
12804652
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6609 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Ta), 150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6290 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MT
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MT
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6609DKR
*IRF6609
SP001523768
IRF6609TR
IRF6609CT
Pachet standard
4,800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7413GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IPW60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
IPW90R1K2C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO247-3
