Numărul de produs al producătorului:
IRF6603
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6603-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
12804028
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6603 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Ta), 92A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6590 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MT
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MT
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6603TR
SP001530098
IRF6603CT
*IRF6603
Pachet standard
4,800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN3R5-30YL,115
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7138
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN3R5-30YL,115-DG
PREȚ UNIC
0.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPA20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
IPT012N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
IPP60R125P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
