Numărul de produs al producătorului:
IRF6215STRR
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6215STRR-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Descriere detaliată:
P-Channel 150 V 13A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12804710
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6215STRR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6215STRLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6215STRLPBF-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
FQB12P20TM
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FQB12P20TM-DG
PREȚ UNIC
0.77
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF7807ZPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRFR7440TRPBF
MOSFET N-CH 40V 90A DPAK