Numărul de produs al producătorului:
IRF6150
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6150-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 7.9A 16FLIPFET
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 7.9A 3W Surface Mount 16-FlipFet™
Inventar:
12803589
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6150 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
3W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
16-WFBGA
Pachet dispozitiv furnizor
16-FlipFet™
Numărul de bază al produsului
IRF615
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF6150
IRF6150TR
IRF6150CT
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7338TRPBF
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
IRF7331PBF
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
IRF9910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO