Numărul de produs al producătorului:
IRF5810TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF5810TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 2.9A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12805437
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF5810TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 16V
Putere - Max
960mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Numărul de bază al produsului
IRF58
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF5810TRPBFTR
SP001574802
IRF5810TRPBF-DG
IRF5810TRPBFCT
IRF5810TRPBFDKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
2 (1 Year)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFI4020H-117P
MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5
IRF9956TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SO
IRF8910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO