Numărul de produs al producătorului:
IRF520NSTRR
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF520NSTRR-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12809038
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF520NSTRR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
=94-4024
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7457TR
MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
IRF250P225
MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC
VN2450N8-G
MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA
