Numărul de produs al producătorului:
IRF40R207
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF40R207-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 56A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12222 Piese Noi Originale În Stoc
12806392
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF40R207 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2110 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IRF40R207
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF40R207CT
SP001564382
IRF40R207DKR
IRF40R207TR
IRF40R207-DG
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
IRFSL4610PBF
MOSFET N-CH 100V 73A TO262
IRF8113TR
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
