IRF3711LPBF

Numărul de produs al producătorului:

IRF3711LPBF

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IRF3711LPBF-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 20V 110A TO262

Descriere detaliată:

N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-262

Inventar:

RFQ Online

12805996

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

01ST

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IRF3711LPBF Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

HEXFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

110A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

44 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2980 pF @ 10 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-262

Pachet / Carcasă

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

*IRF3711LPBF

Pachet standard

50

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRL520NS

MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK

infineon-technologies

IRFI1010NPBF

MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP

infineon-technologies

IRFR1010ZTRRPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

IRF5803D2PBF

MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO