Numărul de produs al producătorului:
IRF1407STRLPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF1407STRLPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
3999 Piese Noi Originale În Stoc
12804678
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF1407STRLPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF1407
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF1407STRLPBFTR
SP001564712
IRF1407STRLPBFCT
IRF1407STRLPBFDKR
IRF1407STRLPBF-DG
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IPW60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
IRF6609TRPBF
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
