Numărul de produs al producătorului:
IRF1404LPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF1404LPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 162A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
6152 Piese Noi Originale În Stoc
12804659
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF1404LPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
162A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IRF1404
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRF1404LPBF-448
*IRF1404LPBF
SP001576598
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
IRF6722MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
IRF5210LPBF
MOSFET P-CH 100V 38A TO262
