Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRF1010EZS
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF1010EZS-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
RFQ Online
12803222
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF1010EZS Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2810 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
IRF1010EZ(S,L)
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF1010EZS
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOB470L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOB470L-DG
PREȚ UNIC
0.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPB081N06L3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5151
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB081N06L3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
HUF75545S3ST
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
6270
DiGi NUMĂR DE PARTE
HUF75545S3ST-DG
PREȚ UNIC
1.50
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB85NF55T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
998
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB85NF55T4-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB60NF06T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1362
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB60NF06T4-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPN50R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
IPI076N15N5AKSA1
MV POWER MOS
IPB029N06N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF