Numărul de produs al producătorului:
IRF100P218XKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF100P218XKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 209A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
12804191
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF100P218XKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
StrongIRFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
209A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
555 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
25000 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
556W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AC
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IRF100
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001619550
IRF100P218
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF100P218AKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF100P218AKMA1-DG
PREȚ UNIC
4.17
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
IRF7707GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
IRL3715Z
MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
