Numărul de produs al producătorului:
IQE008N03LM5CGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IQE008N03LM5CGATMA1-DG
Descriere:
TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TTFN-9-1
Inventar:
202 Piese Noi Originale În Stoc
12968889
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IQE008N03LM5CGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Ta), 253A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5700 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount, Wettable Flank
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TTFN-9-1
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
IQE008N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IQE008N03LM5CGATMA1TR
448-IQE008N03LM5CGATMA1CT
448-IQE008N03LM5CGATMA1DKR
SP005401196
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IAUA170N10S5N031AUMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
IPBE65R145CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE PG-TO263-7
IPS60R280PFD7SAKMA1
CONSUMER PG-TO251-3