Numărul de produs al producătorului:
IQD009N06NM5CGATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IQD009N06NM5CGATMA1-DG
Descriere:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Inventar:
12943341
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IQD009N06NM5CGATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
42A (Ta), 445A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 163µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TTFN-9-U02
Pachet / Carcasă
9-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
IQD009
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IQD009N06NM5CGATMA1TR
448-IQD009N06NM5CGATMA1CT
448-IQD009N06NM5CGATMA1DKR
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IQD005N04NM6CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQD016N08NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
STP50N60DM6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
