Numărul de produs al producătorului:
IPZ60R099P6FKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPZ60R099P6FKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Inventar:
222 Piese Noi Originale În Stoc
12802629
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPZ60R099P6FKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P6
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.21mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3330 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-4
Pachet / Carcasă
TO-247-4
Numărul de bază al produsului
IPZ60R099
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001313882
2156-IPZ60R099P6FKSA1
ROCINFIPZ60R099P6FKSA1
Pachet standard
240
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AUIRF3205ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRF6215STRRPBF
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
AUIRFS3306
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
