Numărul de produs al producătorului:
IPWS65R075CFD7AXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPWS65R075CFD7AXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
12977667
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPWS65R075CFD7AXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
*
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 820µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3288 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
171W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPWS65
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPWS65R075CFD7AXKSA1
SP005405806
448-IPWS65R075CFD7AXKSA1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPW65R075CFD7AXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
240
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW65R075CFD7AXKSA1-DG
PREȚ UNIC
4.61
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MCAC38N10YHE3-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
SI3139KA-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-723
SIL05N06A-TP
N-CHANNEL MOSFET, SOT23-6L
