Numărul de produs al producătorului:
IPW90R120C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW90R120C3XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Inventar:
36 Piese Noi Originale În Stoc
13064092
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW90R120C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 2.9mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
417W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-21
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW90R120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP002548896
IPW90R120C3XKSA1-ND
448-IPW90R120C3XKSA1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF5305L
MOSFET P-CH 55V 31A TO262
IRF7459PBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IRF3205ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
