Numărul de produs al producătorului:
IPW80R280P7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW80R280P7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
109 Piese Noi Originale În Stoc
12805741
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW80R280P7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 360µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 500 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
101W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW80R280
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPW80R280P7XKSA1
SP001422758
IPW80R280P7XKSA1-DG
448-IPW80R280P7XKSA1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF1405ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRLI540N
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP
IPP60R165CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
