Numărul de produs al producătorului:
IPW65R420CFDFKSA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW65R420CFDFKSA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
238 Piese Noi Originale În Stoc
12822767
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW65R420CFDFKSA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 300µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW65R420
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPW65R420CFDFKSA2
IPW65R420CFDFKSA2-DG
SP001987378
Pachet standard
240
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
VN2460N3-G-P014
MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3
AUXDIFZ44ESTRL
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
IRF6635TR1
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
