Numărul de produs al producătorului:
IPW60R105CFD7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW60R105CFD7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 106W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
4 Piese Noi Originale În Stoc
12849682
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW60R105CFD7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 470µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1752 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
106W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW60R105
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001715628
IPW60R105CFD7XKSA1-DG
448-IPW60R105CFD7XKSA1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AO7414
MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3
CPH3348-TL-E
MOSFET P-CH 12V 3A 3CPH
AO4772
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
