Numărul de produs al producătorului:
IPW60R037P7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW60R037P7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
12804037
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW60R037P7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.48mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
121 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5243 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
255W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW60R037
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPW60R037P7XKSA1-DG
SP001606060
448-IPW60R037P7XKSA1
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXKH70N60C5
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
301
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXKH70N60C5-DG
PREȚ UNIC
14.49
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MIC94030YM4-TR
MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
IRFS7534PBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
IRFR1018ETRRPBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
