IPU95R750P7AKMA1
Numărul de produs al producătorului:

IPU95R750P7AKMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPU95R750P7AKMA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 950 V 9A (Tc) 73W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Inventar:

12803851
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPU95R750P7AKMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
950 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
712 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
73W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU95R750

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-IPU95R750P7AKMA1-448
SP001792324
Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPB60R280C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK

infineon-technologies

IRF3708

MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB

infineon-technologies

IRF40DM229

MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET

infineon-technologies

IRF1405STRR

MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK