Numărul de produs al producătorului:
IPU80R1K4P7AKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU80R1K4P7AKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Inventar:
6 Piese Noi Originale În Stoc
13064131
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU80R1K4P7AKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10.05 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 500 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3-21
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU80R1
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPU80R1K4P7AKMA1
SP001422742
2156-IPU80R1K4P7AKMA1
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB65R310CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3
IRFS3107-7PPBF
MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
IRF1404STRR
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
