Numărul de produs al producătorului:
IPU60R600C6AKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU60R600C6AKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12803652
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU60R600C6AKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ C6
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001292878
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPN80R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
IRFR13N20DTRPBF
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPL60R125P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
