Numărul de produs al producătorului:
IPU60R1K5CEBKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU60R1K5CEBKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
12823044
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU60R1K5CEBKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
28W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
ROCINFIPU60R1K5CEBKMA1
SP001276062
2156-IPU60R1K5CEBKMA1-IT
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STD6N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
2496
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD6N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.48
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA90N055T
MOSFET N-CH 55V 90A TO263
TPS1101D
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
IRFR5305TRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
