Numărul de produs al producătorului:
IPU60R1K5CEAKMA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU60R1K5CEAKMA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 3.1A (Tc) 49W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
924 Piese Noi Originale În Stoc
13064255
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU60R1K5CEAKMA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CE
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
49W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU60R1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001396898
2156-IPU60R1K5CEAKMA2
ROCINFIPU60R1K5CEAKMA2
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLU2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
IRFL4310TR
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
IRF9Z24NSTRL
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
