Numărul de produs al producătorului:
IPU60R1K4C6AKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU60R1K4C6AKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12804889
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU60R1K4C6AKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ C6
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
28.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPU60R1K4C6AKMA1
SP001292874
IFEINFIPU60R1K4C6AKMA1
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STU6N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
543
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU6N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.44
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP77N06S212AKSA2
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IRFS3307PBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPL60R185CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
