Numărul de produs al producătorului:
IPSA70R750P7SAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPSA70R750P7SAKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
260 Piese Noi Originale În Stoc
12805774
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPSA70R750P7SAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 400 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
306 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
34.7W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPSA70
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPSA70R750P7SAKMA1
IFEINFIPSA70R750P7SAKMA1
SP001664796
IPSA70R750P7S
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPS70R360P7SAKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2881
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPS70R360P7SAKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.38
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF5805TR
MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6
IRLR2905PBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRF7453TRPBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO