Numărul de produs al producătorului:
IPS65R1K5CEAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPS65R1K5CEAKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
12803450
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPS65R1K5CEAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
225 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
28W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
IPS65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001276050
ROCINFIPS65R1K5CEAKMA1
2156-IPS65R1K5CEAKMA1-IT
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPS70R1K4P7SAKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPA60R120P7E8191XKSA1
MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
IPB180N04S400ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IRF7420TRPBF
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
