IPS65R1K0CEAKMA1
Numărul de produs al producătorului:

IPS65R1K0CEAKMA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPS65R1K0CEAKMA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251

Inventar:

12803749
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPS65R1K0CEAKMA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
37W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Numărul de bază al produsului
IPS65R

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
2156-IPS65R1K0CEAKMA1-IT
IFEINFIPS65R1K0CEAKMA1
SP001276048
Pachet standard
1,500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STU7NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
650
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU7NM60N-DG
PREȚ UNIC
0.92
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPD90N03S4L02ATMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPB80N04S404ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

infineon-technologies

IRFS7534TRL7PP

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

infineon-technologies

IPD180N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3