Numărul de produs al producătorului:
IPP90N06S4L04AKSA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP90N06S4L04AKSA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12805709
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP90N06S4L04AKSA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP90N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001028752
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOT262L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOT262L-DG
PREȚ UNIC
1.29
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLS4030TRL7PP
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
IPZ40N04S55R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
IPP90R340C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3
