Numărul de produs al producătorului:
IPP80R450P7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP80R450P7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 73W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12804603
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP80R450P7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 500 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
73W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP80R450
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPP80R450P7XKSA1
SP001422730
INFINFIPP80R450P7XKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP14N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
230
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP14N60P-DG
PREȚ UNIC
2.05
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU3607TRL701P
MOSFET N CH 75V 56A IPAK
IPP050N06N G
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
IRFZ44VSTRL
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
