Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP80N06S2L09AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP80N06S2L09AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
RFQ Online
12806979
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP80N06S2L09AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 125µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2620 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP80N06S2L09AKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP80N06S2L09AKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPP80N06S2L-09
IPP80N06S2L-09-DG
SP000218742
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF830APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5605
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830APBF-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFBC30APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1483
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFBC30APBF-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP80NF55-06
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
999
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP80NF55-06-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR2405TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
SPI47N10L
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
IRLR024NTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
ISS55EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3