Numărul de produs al producătorului:
IPP65R190CFDXKSA2
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP65R190CFDXKSA2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
1400 Piese Noi Originale În Stoc
12805800
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP65R190CFDXKSA2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 700µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
151W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP65R190
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001987350
448-IPP65R190CFDXKSA2
IPP65R190CFDXKSA2-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
IRL3715ZSPBF
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
IRFU3708
MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
